一種壓阻傳感器芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010152895.2 申請日 -
公開（公告）號 CN101832831B 公開（公告）日 2015-01-28
申請公布號 CN101832831B 申請公布日 2015-01-28
分類號 G01L1/18(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 沈紹群;王樹娟;周剛;陳會林 申請（專利權(quán)）人 無錫市納微電子有限公司
代理機構(gòu) 無錫盛陽專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 無錫市納微電子有限公司;淮安納微傳感器有限公司
地址 214028 江蘇省無錫市新區(qū)長江路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明為一種壓阻傳感器芯片。其生產(chǎn)方便、成本低，且成品率高、精確度高。其包括壓力膜層、基底、力敏電阻、金屬引線，所述力敏電阻、金屬引線安裝于所述壓力膜層的上表面，所述基底裝于所述壓力膜層的下表面，其特征在于：所述基底具體為襯底硅，所述壓力膜層包括底層的多晶硅膜、上層的氧化層，所述底層的多晶硅膜下表面裝于所述襯底硅的上表面。