一種MEMS壓力敏感芯片及其制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201010152893.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN101825505B | 公開（公告）日 | 2015-02-18 |
| 申請公布號 | CN101825505B | 申請公布日 | 2015-02-18 |
| 分類號 | G01L1/18(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分類 | 測量；測試; |
| 發(fā)明人 | 沈紹群;周剛;王樹娟;郭玉剛 | 申請（專利權(quán)）人 | 無錫市納微電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 無錫盛陽專利商標事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 顧朝瑞 |
| 地址 | 214028 江蘇省無錫市新區(qū)長江路7號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種MEMS壓力敏感芯片。其能有效提高芯片的穩(wěn)定性，其誤差小、精度高。其包括硅片、基底、敏感電阻排布區(qū)、敏感電阻排布區(qū)外部電氣連接件，其特征在于：所述基底具體為襯底硅片，所述襯底硅片的上表面和下表面的中心部分均開有淺槽，所述襯底硅片的上表面為二氧化硅（SiO2）的氧化層，所述硅片的底面鍵合于所述襯底硅片的上表面。 |
