一種MEMS壓力敏感芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201020166950.9 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN201716136U 公開（公告）日 2011-01-19
申請公布號(hào) CN201716136U 申請公布日 2011-01-19
分類號(hào) G01L1/18(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 沈紹群;周剛;王樹娟;郭玉剛 申請（專利權(quán)）人 無錫市納微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 無錫市納微電子有限公司
地址 214028 江蘇省無錫市新區(qū)長江路7號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種MEMS壓力敏感芯片。其能有效提高芯片的穩(wěn)定性，其誤差小、精度高。其包括硅片、基底、敏感電阻排布區(qū)、敏感電阻排布區(qū)外部電氣連接件，其特征在于：所述基底具體為襯底硅片，所述襯底硅片的上表面和下表面的中心部分均開有淺槽，所述襯底硅片的上表面為二氧化硅（SiO2）的氧化層，所述硅片的底面鍵合于所述襯底硅片的上表面。