兼有測(cè)量壓強(qiáng)、溫度變化功能的微型硅加速度計(jì)及其加工方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810123700.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101329361B 公開(kāi)（公告）日 2011-06-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN101329361B 申請(qǐng)公布日 2011-06-15
分類號(hào) G01P15/12(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;G01K7/22(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 沈紹群 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫市納微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫盛陽(yáng)專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 無(wú)錫市納微電子有限公司;淮安納微傳感器有限公司
地址 214028 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)長(zhǎng)江路7號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明為兼有測(cè)量壓強(qiáng)、溫度功能的微型硅加速度計(jì)。其既可以測(cè)量系統(tǒng)的壓強(qiáng)、環(huán)境溫度的變化，還可以測(cè)量加速度，本發(fā)明還提供了加工方法。其包括單片晶向的硅單晶襯底(1)，在硅襯底(1)的兩面覆蓋有復(fù)合膜絕緣層(2)，硅單晶襯底(1)正面的二個(gè)懸臂梁區(qū)設(shè)置四個(gè)熱擴(kuò)散電阻(3)，組成惠斯頓電橋，其特征在于：與二個(gè)懸臂梁相連接的質(zhì)量區(qū)是硅體質(zhì)量塊(4)，而在質(zhì)量塊(4)的正表面設(shè)置二氧化硅/PSG/多晶硅/二氧化硅/多晶硅的多層結(jié)構(gòu)，其中頂部的多晶硅制作成四個(gè)縱向壓阻效應(yīng)的力敏電阻(5)，中間多晶硅薄膜為壓力傳感器的彈性膜(6)，而PSG以及多晶硅彈性膜下面的磷硅玻璃層形成一個(gè)空腔11，鋁內(nèi)線連接四個(gè)縱向壓阻效應(yīng)的力敏電阻(5)，組成測(cè)量壓力變化的惠斯頓電橋；而在加速度計(jì)的邊框上設(shè)置硼磷區(qū)，組成一個(gè)n-p-n三極管的EB結(jié)(7)。