0-50Pa單片硅基SOI超低微壓傳感器的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810024191.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101290255B 公開(kāi)（公告）日 2011-08-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN101290255B 申請(qǐng)公布日 2011-08-24
分類號(hào) G01L1/18(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 沈紹群 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫市納微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫盛陽(yáng)專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 顧吉云
地址 214028 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)長(zhǎng)江路7號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明為0-50Pa單片硅基SOI超低微壓傳感器。其具有較高的靈敏度和線性度，耐高溫、工藝簡(jiǎn)單，適宜于大規(guī)模生產(chǎn)，為此，本發(fā)明還提供了傳感器的加工方法。其芯片包括硅襯底(1)，在硅襯底的兩面覆蓋有絕緣層(2)，絕緣層(2)表面約0.3微米的單晶硅薄膜生成電阻(3)，內(nèi)引線(4)與電阻(3)連接；芯片背面的開(kāi)口內(nèi)制作有背島(7)或無(wú)背島的平膜；在背島和邊框之間為氮化硅和二氧化硅復(fù)合彈性膜(8)。取單晶硅作襯底(1)，然后在襯底背面刻出開(kāi)口(6)；對(duì)硅片正面進(jìn)行氧離子注入、對(duì)硅片進(jìn)行退火處理，形成二氧化硅絕緣層和單晶硅薄膜，在正面熱生長(zhǎng)氧化層、P型導(dǎo)電層、然后在硅片正面形成電阻區(qū)(3)和內(nèi)引線熱壓腳區(qū)(4)，而正面其它區(qū)域的單晶硅薄膜被腐蝕掉，暴露出二氧化硅層；讓硅片正反面淀積的氮化硅薄膜與正面的二氧化硅組成互補(bǔ)的復(fù)合膜絕緣層。