一種MEMS壓力敏感芯片及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010102073.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101776501B 公開(kāi)（公告）日 2014-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN101776501B 申請(qǐng)公布日 2014-08-06
分類號(hào) G01L9/06(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 王樹(shù)娟;周剛;陳曉亮;陳會(huì)林;郭玉剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫市納微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫盛陽(yáng)專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 顧吉云
地址 214028 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)長(zhǎng)江路7號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明為一種MEMS壓力敏感芯片。其能有效提高芯片靈敏度，提高芯片的成品率。其包括硅片、真空腔、玻璃基底、敏感電阻排布區(qū)、敏感電阻排布區(qū)外部電氣連接件、對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記組件，其特征在于：所述硅片正反面的四角分別設(shè)置有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，所述硅片的正面的最大應(yīng)力線性區(qū)為敏感電阻排布區(qū)，敏感電阻排布區(qū)形狀為矩形，所述敏感電阻排布區(qū)內(nèi)包括壓敏電阻、P+連接、N+隔離槽、鋁電極，所述壓敏電阻具體為兩對(duì)橋接電阻，所述每個(gè)橋接電阻包括一對(duì)敏感電阻，所述敏感電阻具體為直線電阻，所述每對(duì)橋接電阻的橋接電阻分別對(duì)稱排布于所述敏感電阻排布區(qū)四邊的兩對(duì)邊，所述每個(gè)橋接電阻被所述N+隔離槽包圍。