0-100Pa單片硅基SOI高溫低漂移微壓傳感器及其加工方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810024192.4 申請日 -
公開（公告）號 CN101289160B 公開（公告）日 2011-08-24
申請公布號 CN101289160B 申請公布日 2011-08-24
分類號 G01L1/18(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 沈紹群 申請（專利權(quán)）人 無錫市納微電子有限公司
代理機構(gòu) 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 無錫市納微電子有限公司;淮安納微傳感器有限公司
地址 214028 江蘇省無錫市新區(qū)長江路7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明為0～100Pa單片硅基SOI超低微壓傳感器。其具有較高的靈敏度和線性度，耐高溫、工藝簡單，工藝一致性好，生產(chǎn)成本低、適宜于大規(guī)模生產(chǎn)，為此，本發(fā)明還提供了傳感器的加工方法。其芯片包括一個N型或P型硅襯底(1)，在硅襯底的兩面覆蓋有絕緣層(2)，絕緣層(2)表面淀積多晶硅層(3)；在多晶硅層表面為二氧化硅層(4)；二氧化硅層(4)表面為多晶硅薄膜層；多晶硅薄膜層生成多晶硅力敏電阻(5)，摻濃硼的多晶硅內(nèi)引線(6)與電阻(5)連接；在多晶硅內(nèi)引線(6)表面覆蓋鋁引線(7)；芯片背面具有方形開口(10)；取單晶硅作襯底(1)，然后在襯底通過光刻、淀積、離子束機注入、退火處理、通干氧-濕氧-干氧、光刻和TMAH濕法腐蝕或RIE干法刻蝕技術(shù)、光刻、濃硼擴散、正面蒸鍍鋁膜、引出焊腳、濕法腐蝕等工藝加工。