功率型氮化鎵基發(fā)光二極管芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200720096313.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN201060874Y 公開（公告）日 2008-05-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN201060874Y 申請(qǐng)公布日 2008-05-14
分類號(hào) H01L33/00(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 牛萍娟;李艷玲;李曉云;劉宏偉;王小麗 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 唐山曹妃甸工大海宇光電科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 300160天津市河?xùn)|區(qū)成林道63號(hào)天津工業(yè)大學(xué)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種功率型氮化鎵基發(fā)光二極管芯片，包括藍(lán)寶石襯底、依次制作在其正面的N型氮化鎵層、多量子阱、P型氮化鎵層，其特征在于，所述藍(lán)寶石襯底的背面刻有削頂?shù)闹芷谛匀堑菇鹱炙⒔Y(jié)構(gòu)；P型氮化鎵層的表面腐蝕有具有六角倒金字塔凹陷的微小絨面，并制作有5～50nm接觸電極Ni/Au和600～2000nm反射金屬Ag，在Ag反射金屬上制作有Ni/Au P型電極；在N型氮化鎵層上制作有Ti/Al/Ni/Au N型電極。本實(shí)用新型克服了p－GaN與空氣界面對(duì)光的全內(nèi)反射，增強(qiáng)光從芯片背面的出射幾率。