功率型氮化鎵基發(fā)光二極管芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720353997.8 申請日 -
公開（公告）號 CN206610823U 公開（公告）日 2017-11-03
申請公布號 CN206610823U 申請公布日 2017-11-03
分類號 H01L33/20(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 牛萍娟;李艷玲;李曉云;劉宏偉;王小麗 申請（專利權）人 唐山曹妃甸工大海宇光電科技股份有限公司
代理機構 天津濱海科緯知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 唐山曹妃甸工大海宇光電科技股份有限公司
地址 063200 河北省唐山市曹妃甸工業(yè)區(qū)高新技術產(chǎn)業(yè)園標準廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種功率型氮化鎵基發(fā)光二極管芯片，包括釔鋁石榴石襯底，其上端和下端分別設有周期性三棱臺型的微凸結構；在釔鋁石榴石襯底的下端設有N型氮化鎵層，且位于釔鋁石榴石襯底下端的微凸結構伸入N型氮化鎵層內(nèi)；增透層，其包裹在釔鋁石榴石襯底的上端及四周側壁上，增透層高折射率絕緣層和低折射率絕緣層交替堆疊；增透層的總厚度為1200埃?7200埃。本實用新型所述的功率型氮化鎵基發(fā)光二極管芯片，結構簡單，出光率高。