一種晶片清洗方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310657596.8 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN103639149B 公開（公告）日 2016-01-06
申請公布號(hào) CN103639149B 申請公布日 2016-01-06
分類號(hào) B08B3/12(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B3/04(2006.01)I 分類 清潔;
發(fā)明人 徐偉平;劉樹奇;亓凱 申請（專利權(quán)）人 山東百利通亞陶科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南誠智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 代理人 山東百利通亞陶科技有限公司
地址 250101 山東省濟(jì)南市高新區(qū)開拓路2333號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種晶片清洗方法，包括以下步驟：采用酸性清洗劑進(jìn)行清洗；采用堿性清洗劑進(jìn)行清洗；采用純水進(jìn)行清洗；采用無水乙醇進(jìn)行清洗；對(duì)清洗后的晶片進(jìn)行烘烤；對(duì)清洗后的晶片進(jìn)行除靜電處理。本發(fā)明先通過化學(xué)反應(yīng)去除晶片表面的大部分污物及氧化層，再通過流水沖去表面大部分的清洗劑，然后進(jìn)行純水超聲波清洗，無水乙醇超聲波清洗和晃洗徹底清除剩余的細(xì)微污物和清洗劑，最后清洗采用無水乙醇，變干；清洗完畢后，通過高溫和微波烘烤，使晶片堆的內(nèi)外都變得干燥，最后去除晶片靜電；本發(fā)明通過實(shí)踐，得出每一步的最佳清洗時(shí)間，使清洗時(shí)間縮短，清洗效果好，而且，本晶片清洗的方法成本較低，處理效果好，適于推廣。