一種太陽(yáng)能硅片清洗方法、硅片、電池、組件及清洗系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011399155.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112420494A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112420494A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-26 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李建弘;危晨;劉濤;趙越;唐昊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 天津市環(huán)智新能源技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 欒志超 |
| 地址 | 300450天津市濱海新區(qū)塘沽海洋科技園康祥道32號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能硅片清洗方法，對(duì)硅片進(jìn)行藥液清洗和氧化清洗之前，對(duì)硅片依次進(jìn)行低溫氧化清洗和氧化去除，其中，在進(jìn)行低溫氧化清洗時(shí)，采用低溫氧化溶液對(duì)硅片進(jìn)行清洗，在硅片表面形成氧化層；在進(jìn)行氧化去除時(shí)，采用酸溶液對(duì)硅片進(jìn)行清洗，去除硅片表面氧化層。本發(fā)明的有益效果是在低溫環(huán)境下對(duì)硅片進(jìn)行清洗，降低金屬離子在硅片中的擴(kuò)散速度，減少硅片金屬離子含量，提高硅片少數(shù)載流子壽命，提高硅片性能，提升太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率。?? |
