一種OLED器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110696223.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113421984A 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN113421984A 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L51/50（2006.01）I;H01L51/54（2006.01）I;H01L51/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 寶慶云;魏斌;嚴(yán)利民;王堂;馬瑞明;朱才華 申請（專利權(quán)）人 上海晶合光電科技有限公司
代理機構(gòu) 北京高沃律師事務(wù)所 代理人 韓雪梅
地址 200120上海市浦東新區(qū)龍東大道6101號9幢二樓西區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種OLED器件及其制備方法。該OLED器件包括：由下到上依次排布的基板層、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、載流子產(chǎn)生層和金屬電極；所述載流子產(chǎn)生層包括MoO3摻雜層和Ag摻雜層。所述MoO3摻雜層與所述Ag摻雜層不存在堿金屬離子，因此不會由于堿金屬離子擴散進入發(fā)光層而引起器件失效，從而大幅提升了OLED器件的壽命和穩(wěn)定性。并且本發(fā)明采用了倒置結(jié)構(gòu)，將對水氧敏感的電子傳輸材料置于OLED器件的下方，減少其接觸水氧的幾率，由此減緩OLED器件的材料失效，進而提高OLED器件的使用壽命。