鍺單晶片、其制法、晶棒的制法及單晶片的用途

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910483748.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110202419B 公開(kāi)（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN110202419B 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類(lèi)號(hào) B24B1/00（2006.01）I;B24B9/06（2006.01）I;B28D5/00（2006.01）I;C30B11/02（2006.01）I;C30B29/08（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I 分類(lèi) 磨削；拋光;
發(fā)明人 拉賈拉姆·謝蒂;王元立;劉衛(wèi)國(guó);周雯婉;朱頌義 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京通美晶體技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京北翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王媛;鐘守期
地址 101113北京市通州區(qū)工業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)東二街四號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及鍺單晶片，其包含原子濃度為3×10atoms/cc至10×10atoms/cc的硅、原子濃度為1×10atoms/cc至10×10atoms/cc的硼以及原子濃度為1×10atoms/cc至10×10atoms/cc的鎵。本發(fā)明還涉及該鍺單晶片的制法、鍺單晶棒的制法，以及涉及鍺單晶片用于增加太陽(yáng)能電池開(kāi)路電壓的用途。本發(fā)明的獲得的鍺單晶片具有改進(jìn)的電學(xué)性能，特別是具有更小的電阻率差和載流子濃度差。