一種砷化鎵晶片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811619886.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111379027A 公開（公告）日 2020-07-07
申請公布號 CN111379027A 申請公布日 2020-07-07
分類號 C30B29/42(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 任殿勝;朱頌義;趙波;王建利;劉巖;崔楊洲;張春宇 申請（專利權）人 北京通美晶體技術股份有限公司
代理機構 北京北翔知識產權代理有限公司 代理人 北京通美晶體技術有限公司
地址 101113北京市通州區(qū)工業(yè)開發(fā)區(qū)東二街四號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種砷化鎵晶片，所述晶片表面的硫含量低于2×1015原子/cm3，優(yōu)選低于5×1014原子/cm3，所述晶片表面的硫含量通過本發(fā)明說明書實施例中第III部分定義的檢測方法進行測定。本發(fā)明還涉及所述砷化鎵晶片的制備方法，包括以下步驟：1)使用酸或堿溶液對晶片表面進行浸泡清洗；2)對晶片進行化學機械拋光；3)拋光后，使用氧化劑對晶片表面進行氧化；4)對晶片經過堿溶液處理，隨后用去離子水清洗；5)對晶片經過SC?1溶液處理，隨后用去離子水清洗；6)干燥所得晶片；7)再次使用氧化劑對晶片表面進行處理；8)氮氣或真空包裝。??