半導(dǎo)體襯底中的可控氧濃度

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010275519.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111455451A 公開（公告）日 2020-07-28
申請公布號 CN111455451A 申請公布日 2020-07-28
分類號 C30B11/00;C30B11/14;C30B29/40;C30B29/42;C30B29/44;C30B33/02;H01L21/322;H01L21/324;H01L29/207;H01L29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 莫里斯·楊;戴維斯·張;劉文森;王元立 申請（專利權(quán)）人 北京通美晶體技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王媛;鐘守期
地址 101113 北京市通州區(qū)工業(yè)開發(fā)區(qū)東二街四號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種控制III?V族化合物半導(dǎo)體襯底中的氧濃度的方法，包括：在密閉容器中放置多個(gè)III?V族化合物半導(dǎo)體襯底；并在所述密閉容器中放置預(yù)定量材料，用以調(diào)控密閉容器中單晶襯底中的氧濃度。所述預(yù)定量的材料對氧具有高度的化學(xué)反應(yīng)性。所述方法還包括保持所述容器內(nèi)的預(yù)定空氣壓力，以及對所述多個(gè)III?V族單晶襯底進(jìn)行退火，促使所述預(yù)定壓力空氣內(nèi)的氧原子在所述晶體襯底中進(jìn)行擴(kuò)散而產(chǎn)生可控制的氧濃度。所述III?V族化合物半導(dǎo)體襯底中的氧濃度由所述預(yù)定量的材料來調(diào)控。