垂直芯片表面發(fā)射激光器及其一維和二維陣列
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202020081085.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211719953U | 公開（公告）日 | 2020-10-20 |
| 申請公布號 | CN211719953U | 申請公布日 | 2020-10-20 |
| 分類號 | H01S5/183(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱頌義;王元立 | 申請（專利權(quán)）人 | 北京通美晶體技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 北京通美晶體技術(shù)有限公司 |
| 地址 | 101113北京市通州區(qū)工業(yè)開發(fā)區(qū)東二街四號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型提供了垂直芯片表面發(fā)射激光器，其包括：基片，具有承置面和與承置面成45度角的反射面；以及邊發(fā)射激光器芯片，布置在基片的承置面上。邊發(fā)射激光器芯片被定位成邊發(fā)射激光器芯片的發(fā)射端朝向反射面且發(fā)射端發(fā)射出平行于承置面的激光束，激光束的方向與承置面和反射面的交線垂直。本實用新型還提供垂直芯片表面發(fā)射激光器的一維陣列和二維陣列。本實用新型通過在具有45度反射面的散熱基片上設(shè)置邊發(fā)射激光器實現(xiàn)了邊發(fā)射激光器到垂直芯片表面發(fā)射激光器的轉(zhuǎn)化，并且實現(xiàn)了垂直表面發(fā)射激光器的一維和二維陣列。與垂直腔面發(fā)射激光器相比，這種垂直芯片表面發(fā)射激光器件結(jié)構(gòu)簡單、制造工藝成熟，從而加工成本更低、產(chǎn)品可靠性更高。?? |
