背面有凹坑的磷化銦晶片、制法和制備其的腐蝕液

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710612344.1 申請日 -
公開（公告）號 CN109290875A 公開（公告）日 2021-06-22
申請公布號 CN109290875A 申請公布日 2021-06-22
分類號 B24B7/22;B24B37/10;C30B33/10;C30B29/40 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 王留剛;李海淼;朱頌義 申請（專利權）人 北京通美晶體技術股份有限公司
代理機構 北京北翔知識產權代理有限公司 代理人 王媛;鐘守期
地址 101113 北京市通州區(qū)工業(yè)開發(fā)區(qū)東二街四號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種{100}磷化銦（InP）晶片，其背面分布有凹坑，其中背面凹坑的突起的最大維度為65微米，凹坑的最大深度為6.0微米。本發(fā)明還涉及該{100}磷化銦（InP）晶片的制備方法以及制備該{100}磷化銦（InP）晶片的腐蝕液。本發(fā)明的{100}磷化銦（InP）晶片背面分布有凹坑，在外延生長中受熱均勻，應用效果好。