一種砷化鎵晶片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811619886.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111379027B 公開（公告）日 2021-03-16
申請公布號 CN111379027B 申請公布日 2021-03-16
分類號 C23C16/30(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;C30B29/42(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 任殿勝;朱頌義;趙波;王建利;劉巖;崔楊洲;張春宇 申請（專利權(quán)）人 北京通美晶體技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鐘守期;劉文靜
地址 101113北京市通州區(qū)工業(yè)開發(fā)區(qū)東二街四號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種砷化鎵晶片，所述晶片表面的硫含量低于2×1015原子/cm3，優(yōu)選低于5×1014原子/cm3，所述晶片表面的硫含量通過本發(fā)明說明書實(shí)施例中第III部分定義的檢測方法進(jìn)行測定。本發(fā)明還涉及所述砷化鎵晶片的制備方法，包括以下步驟：1)使用酸或堿溶液對晶片表面進(jìn)行浸泡清洗；2)對晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光；3)拋光后，使用氧化劑對晶片表面進(jìn)行氧化；4)對晶片經(jīng)過堿溶液處理，隨后用去離子水清洗；5)對晶片經(jīng)過SC?1溶液處理，隨后用去離子水清洗；6)干燥所得晶片；7)再次使用氧化劑對晶片表面進(jìn)行處理；8)氮?dú)饣蛘婵瞻b。??