一種砷化鎵晶片及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811619886.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111379027B | 公開（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111379027B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | C23C16/30(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;C30B29/42(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 任殿勝;朱頌義;趙波;王建利;劉巖;崔楊洲;張春宇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北京通美晶體技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京北翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 鐘守期;劉文靜 |
| 地址 | 101113北京市通州區(qū)工業(yè)開發(fā)區(qū)東二街四號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種砷化鎵晶片，所述晶片表面的硫含量低于2×1015原子/cm3，優(yōu)選低于5×1014原子/cm3，所述晶片表面的硫含量通過(guò)本發(fā)明說(shuō)明書實(shí)施例中第III部分定義的檢測(cè)方法進(jìn)行測(cè)定。本發(fā)明還涉及所述砷化鎵晶片的制備方法，包括以下步驟：1)使用酸或堿溶液對(duì)晶片表面進(jìn)行浸泡清洗；2)對(duì)晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光；3)拋光后，使用氧化劑對(duì)晶片表面進(jìn)行氧化；4)對(duì)晶片經(jīng)過(guò)堿溶液處理，隨后用去離子水清洗；5)對(duì)晶片經(jīng)過(guò)SC?1溶液處理，隨后用去離子水清洗；6)干燥所得晶片；7)再次使用氧化劑對(duì)晶片表面進(jìn)行處理；8)氮?dú)饣蛘婵瞻b。?? |
