半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110284566.1 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN112687656B 公開（公告）日 2021-06-11
申請公布號(hào) CN112687656B 申請公布日 2021-06-11
分類號(hào) H01L23/498;H01L23/482;H01L21/52;H01L21/60 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭麗麗 申請（專利權(quán)）人 浙江鋮昌科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 佟婷婷
地址 310010 浙江省杭州市西湖區(qū)三墩鎮(zhèn)西園三路3號(hào)5幢601室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，結(jié)構(gòu)包括：具有容置凹槽的載片；待鍵合芯片貼裝在容置凹槽中并形成側(cè)壁間隙；側(cè)壁補(bǔ)償橋接層，連接芯片和載片表面并使側(cè)壁間隙與外界連通；種子層及互聯(lián)金屬層，形成在側(cè)壁補(bǔ)償橋接層上實(shí)現(xiàn)芯片和載片的互聯(lián)。本發(fā)明基于側(cè)壁補(bǔ)償橋接層的設(shè)計(jì)，在空腔側(cè)壁和芯片側(cè)壁之間制作橋接，后續(xù)制備的RDL在橋面通過。本發(fā)明可以解決縫隙難以實(shí)現(xiàn)有效填充以及填充存在氣泡等問題，防止氣泡對后續(xù)封裝工藝的影響。另外，還可以使芯片表面和載片表面之間形成光滑的曲面，利于后續(xù)互聯(lián)。本發(fā)明工藝簡單，適合各種厚度的芯片，在保護(hù)待鍵合芯片的同時(shí)為后續(xù)的種子層連續(xù)提供保證，使后續(xù)RDL的電鍍工藝得以進(jìn)行。