一種晶體生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120780908.4 申請日 -
公開（公告）號 CN214572359U 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN214572359U 申請公布日 2021-11-02
分類號 C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李帥;李函朔;趙建國 申請（專利權(quán)）人 上海天岳半導(dǎo)體材料有限公司
代理機構(gòu) 北京君慧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 馮妙娜
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)鴻音路1211號10幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種晶體生長裝置，其包括：冷卻套管，由包括所述冷卻套管的組件形成密閉的容納腔，用于放置晶體生長用的坩堝；所述冷卻套管包括第一冷卻管和第二冷卻管，所述第一冷卻管套設(shè)在所述第二冷卻管的內(nèi)部，并相互配合以形成用于通入第一冷卻水的第一夾層，所述第一夾層的厚度沿所述坩堝底部至開口方向線性增加。該晶體生長裝置中的坩堝內(nèi)部的溫度從底部至開口逐漸降低，形成軸向溫度梯度；此外，可以實現(xiàn)坩堝內(nèi)部軸向溫度梯度的可調(diào)可控，進而控制晶體的生長質(zhì)量及生長速率；同時，坩堝內(nèi)所形成的軸向溫度梯度更加穩(wěn)定，可以進一步保證長晶質(zhì)量。