一種提高晶片質(zhì)量的反應(yīng)器及反應(yīng)裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121694807.1 申請日 -
公開（公告）號 CN215800048U 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN215800048U 申請公布日 2022-02-11
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B33/00（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李加林;李斌;姜巖鵬;劉家朋;張寧 申請（專利權(quán)）人 上海天岳半導(dǎo)體材料有限公司
代理機構(gòu) 北京君慧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 馮妙娜
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)鴻音路1211號10幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種提高晶片質(zhì)量的反應(yīng)器及反應(yīng)裝置，屬于半導(dǎo)體材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該反應(yīng)器包括：晶片托盤，所述晶片托盤的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)置有用于放置晶片的凸臺；底座和蓋體，所述底座設(shè)置在所述晶片托盤下方，所述蓋體用于蓋合所述晶片托盤，所述底座、晶片托盤與蓋體之間形成反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔內(nèi)開設(shè)有通氣孔，反應(yīng)氣體自所述通氣孔進入所述反應(yīng)腔；加熱組件，所述加熱組件用于加熱所述反應(yīng)腔內(nèi)的反應(yīng)氣體，以對所述晶片的表面進行處理。反應(yīng)氣體自通氣孔進入反應(yīng)腔，并在加熱組件的加熱下與晶片表面的碳包裹體反應(yīng)生成碳化硅，提高晶片表面的質(zhì)量，減少晶片表面碳包裹體的數(shù)量。