垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111065763.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113506830A 公開（公告）日 2021-10-15
申請公布號 CN113506830A 申請公布日 2021-10-15
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉雯嬌;楊世紅 申請（專利權(quán)）人 陜西亞成微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 北京前審知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張靜;李亮誼
地址 710075陜西省西安市高新區(qū)科技二路68號西安軟件園漢韻閣A座301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管及制備方法，管中，N型埋層層疊于P型襯底的上表面，N型埋層內(nèi)注入有N型離子，N型外延層層疊于N型埋層的上表面，N型外延層內(nèi)設(shè)有注入P型離子的P阱，P阱包括背柵P區(qū)和分壓隔離環(huán)P區(qū)，背柵P區(qū)內(nèi)分別形成有N+接觸區(qū)，N+接觸區(qū)注入有N型離子，柵氧化層層疊于N型外延層的上表面，柵氧化層上形成有多晶硅柵極，中間介質(zhì)層層疊于柵氧化層及多晶硅柵極上，D端接觸孔依次穿通中間介質(zhì)層、柵氧化層、N型外延層及N型埋層，S端接觸孔依次穿通中間介質(zhì)層、柵氧化層及N+接觸區(qū)，G端接觸孔依次穿通中間介質(zhì)層與多晶硅柵極。