一種基于碳量子點(diǎn)的質(zhì)子交換膜及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911086964.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110797561B | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-02-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110797561B | 申請(qǐng)公布日 | 2020-02-14 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01M8/1018(2016.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 田文迪;王永霞;田丙倫;傅婧;喬錦麗 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海博暄能源科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州根號(hào)專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 項(xiàng)麗 |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)興浦路333號(hào)納米城Ⅱ區(qū)納米健康產(chǎn)業(yè)園1號(hào)樓405室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種基于碳量子點(diǎn)的質(zhì)子交換膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟S1、基膜材料的制備；步驟S2、碳量子點(diǎn)摻雜；步驟S3、澆注成膜。本發(fā)明還公開(kāi)了根據(jù)所述基于碳量子點(diǎn)的質(zhì)子交換膜的制備方法制備得到的基于碳量子點(diǎn)的質(zhì)子交換膜。本發(fā)明公開(kāi)的基于碳量子點(diǎn)的質(zhì)子交換膜具有更加優(yōu)異的氧化穩(wěn)定性和力學(xué)性能，更高的質(zhì)子傳導(dǎo)率。?? |
