一種干式刻蝕設(shè)備的刻蝕底盤
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201620502802.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN205944030U | 公開(公告)日 | 2017-02-08 |
申請公布號 | CN205944030U | 申請公布日 | 2017-02-08 |
分類號 | H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 竺平軍 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江優(yōu)眾新材料科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 湯東鳳 |
地址 | 316000 浙江省舟山市定海區(qū)岑港街道塢坵社區(qū)豐園路15號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種干式刻蝕設(shè)備的刻蝕底盤,屬于干式刻蝕設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,包括移動塊、直線電機(jī)、控制器、工作臺、氣缸、第一臺板、滑塊、滑軌、第二臺板、支塊、圓盤、氣體噴射盤和氣體噴射孔,所述工作臺上安裝第一臺板,第一臺板內(nèi)左右兩側(cè)各安裝氣缸,氣缸的活塞桿伸出第一臺板外,氣缸的活塞桿上安裝第二臺板,第二臺板安裝在滑塊上,滑塊安裝在滑軌上,滑軌安裝在工作臺上,第一臺板和第二臺板上各安裝圓盤;本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:能調(diào)節(jié)氣體噴射盤的高度,且能使晶片的周邊都能均勻的與氣體噴射孔相互對應(yīng)。 |
