壓力傳感器的制作方法以及壓力傳感器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410285013.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104071744A 公開(kāi)（公告）日 2014-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN104071744A 申請(qǐng)公布日 2014-10-01
分類號(hào) B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 楊海波;李忠平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海天英微系統(tǒng)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫佳胤
地址 200120 上海市浦東新區(qū)郭守敬路351號(hào)2號(hào)樓A635-15室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種壓力傳感器的制作方法以及壓力傳感器。所述方法包括如下步驟：提供一器件襯底；在所述器件襯底的第一表面上依次形成隔離層和器件層；從所述器件襯底的第二表面采用等離子體刻蝕工藝形成具有垂直側(cè)壁蝕坑，至隔離層停止；以所述第二表面為鍵合面，將所述器件襯底同一支撐襯底鍵合。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，采用干法刻蝕做背面蝕坑，比KOH或TMAH背刻工藝制作的芯片面積減小了50%，并且不采用SOI襯底就可以實(shí)現(xiàn)自停止工藝，大大地節(jié)約了成本。