降低太陽能電池芯片切割效率損耗的方法及光伏組件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810887296.1 申請日 -
公開（公告）號 CN110808310B 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN110808310B 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01L31/18;B23K26/359 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張偉;胡德政;李沅民;徐希翔 申請（專利權(quán)）人 德運創(chuàng)鑫（北京）科技有限公司
代理機構(gòu) 北京華夏泰和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孟德棟
地址 101149 北京市通州區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)通州園金橋科技產(chǎn)業(yè)基地環(huán)科中路17號26幢1至3層102-LQ307
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種降低太陽能電池芯片切割效率損耗的方法及光伏組件，涉及太陽能電池組件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供了一種降低太陽能電池芯片切割效率損耗的方法，依次包括如下步驟：S1以硅片為襯底制作太陽能電池芯片，其中包括：使用第一激光對硅片劃線；S2第二激光裂片：將步驟S1制作所得的太陽能電池芯片以第二激光裂片。通過第一激光劃線和第二激光裂片配合，不需扳片，有效切割電池芯片且碎片率低；激光劃刻的步驟設(shè)置于電池芯片制作過程中，電池芯片的制作還未完成，經(jīng)過第一激光劃刻，降低劃刻及后續(xù)切割對電池芯片造成的損傷，從而降低切割效率損耗。