降低太陽(yáng)能電池芯片切割效率損耗的方法及光伏組件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810887296.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110808310A 公開（公告）日 2021-08-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN110808310A 申請(qǐng)公布日 2021-08-10
分類號(hào) H01L31/18;B23K26/359 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張偉;胡德政;李沅民;徐希翔 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 德運(yùn)創(chuàng)鑫（北京）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華夏泰和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 孟德棟
地址 100176 北京市大興區(qū)亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)榮華南路9號(hào)院2號(hào)樓10層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種降低太陽(yáng)能電池芯片切割效率損耗的方法及光伏組件，涉及太陽(yáng)能電池組件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供了一種降低太陽(yáng)能電池芯片切割效率損耗的方法，依次包括如下步驟：S1以硅片為襯底制作太陽(yáng)能電池芯片，其中包括：使用第一激光對(duì)硅片劃線；S2第二激光裂片：將步驟S1制作所得的太陽(yáng)能電池芯片以第二激光裂片。通過第一激光劃線和第二激光裂片配合，不需扳片，有效切割電池芯片且碎片率低；激光劃刻的步驟設(shè)置于電池芯片制作過程中，電池芯片的制作還未完成，經(jīng)過第一激光劃刻，降低劃刻及后續(xù)切割對(duì)電池芯片造成的損傷，從而降低切割效率損耗。