一種半導(dǎo)體晶圓表面研磨保護(hù)片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202020070363.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN212527324U 公開(kāi)(公告)日 2021-02-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN212527324U 申請(qǐng)公布日 2021-02-12
分類號(hào) B24B37/34(2012.01)I;B24B55/00(2006.01)I 分類 磨削;拋光;
發(fā)明人 武玄慶;李朝發(fā);朱天 申請(qǐng)(專利權(quán))人 蘇州東福電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州大智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 王軍
地址 215000江蘇省蘇州市吳中區(qū)東山鎮(zhèn)鳳凰山路11號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種半導(dǎo)體晶圓表面研磨保護(hù)片,包含基材;所述基材上設(shè)置有中間層;所述中間層上設(shè)置有表面黏著層;所述基材由聚酯類、聚醯胺類材料制成,所述基材的厚度為1?1000um;所述中間層為一種熱塑性的固體高分子聚合物,其維卡軟化點(diǎn)溫度測(cè)試,按ASTM D1525標(biāo)準(zhǔn)在0.45MPa施加壓力下軟化溫度為50?80℃;所述表面黏著層由丙烯酸類或聚氨酯類聚合物及其共聚物制成;本實(shí)用新型所述的半導(dǎo)體晶圓表面研磨保護(hù)片在半導(dǎo)體晶圓研磨時(shí)提供良好的凹凸吸收保護(hù),防止損壞半導(dǎo)體晶圓。??