一種硅基異質(zhì)結(jié)電池片及其TiNx阻擋層的制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510442598.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN106356418B | 公開(公告)日 | 2018-05-04 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN106356418B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-05-04 |
分類號(hào) | H01L31/072;H01L31/028;H01L31/20 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 黃輝明;宋廣華;羅騫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 鈞石(中國)能源有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 362000 福建省泉州市鯉城區(qū)常泰街道仙塘社區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種硅基異質(zhì)結(jié)電池片及其TiNx阻擋層的制備方法,包括:在N型硅襯底正面沉積本征非晶硅層及P型非晶硅薄膜層,反面沉積本征非晶硅層及N型非晶硅薄膜層的硅片;在所述P型非晶硅薄膜層及N型非晶硅薄膜層上沉積透明導(dǎo)電氧化物薄膜;在所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜采用低溫磁控濺射法沉積TiNx阻擋層。本發(fā)明增加了Cu與透明導(dǎo)電氧化物薄膜層的附著力,有利于后續(xù)異質(zhì)結(jié)太陽能電池的封裝,還可以有效的阻擋銅的擴(kuò)散,非電極柵線區(qū)域的TiNx阻擋層易于被溶液腐蝕,且TiNx阻擋層電阻率低、厚度易控制。 |
