具有場板結(jié)構(gòu)的HEMT器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911359911.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113035943A 公開（公告）日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN113035943A 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類號(hào) H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王黎明;肖霞;何雍春 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華潤微電子（重慶）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 賀妮妮
地址 401331 重慶市沙坪壩區(qū)西永鎮(zhèn)西永路367號(hào)四樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種具有場板結(jié)構(gòu)的HEMT器件及其制備方法，該結(jié)構(gòu)包括：HEMT器件及設(shè)置于柵電極與漏電極之間的源場板及浮空?qǐng)霭?，且源場板靠近柵電極，浮空?qǐng)霭蹇拷╇姌O，源場板與源極互連金屬結(jié)構(gòu)等電位電連接。通過設(shè)置源場板及浮空?qǐng)霭褰M成HEMT器件柵電極與漏電極之間的復(fù)合場板結(jié)構(gòu)，將原本位于柵電極邊緣和漏電極邊緣的電場集中點(diǎn)轉(zhuǎn)移至源場板及浮空?qǐng)霭逯g的絕緣層中，優(yōu)化了整個(gè)HEMT器件內(nèi)部的電場分布，使電場變化梯度更舒緩，提高了器件的擊穿電壓。另外還避免了源場板直接延伸覆蓋柵電極引入額外的寄生電容。最后，源極互連金屬層、漏極互連金屬層、源場板及浮空?qǐng)霭逋瑫r(shí)形成，不需要增加額外工藝步驟。