一種分裂柵型溝槽MOS器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911378546.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113053738A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113053738A 申請公布日 2021-06-29
分類號 H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張雪;李雪梅;桑雨果 申請（專利權(quán)）人 華潤微電子（重慶）有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 401331 重慶市沙坪壩區(qū)西永鎮(zhèn)西永路367號四樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種分裂柵型溝槽MOS器件及其制備方法，包括如下步驟：1）提供一半導(dǎo)體襯底；2）利用第一掩膜板形成多個溝槽，并形成第一氧化層，于溝槽內(nèi)沉積源極多晶硅；3）利用第二掩膜板定義出有源區(qū)和終端區(qū)，并于終端區(qū)的半導(dǎo)體襯底表面沉積光阻層，刻蝕所述第一氧化層，于溝槽中形成開口，去除所述光阻層以及第一氧化層；4）于開口形成第二氧化層，并沉積柵極多晶硅；5）于半導(dǎo)體襯底中形成體區(qū)，并利用第三掩膜板形成源區(qū)；6）沉積介質(zhì)層，并利用第四掩膜板形成電極接觸孔；7）沉積金屬層，利用第五掩膜板分離源極電極和終端電極。本發(fā)明的提供的分裂柵型溝槽MOS器件的制備方法，通過節(jié)省光刻制程，簡化了工藝。