屏蔽柵溝槽場效應(yīng)晶體管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911359896.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113035715A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113035715A 申請公布日 2021-06-25
分類號 H01L21/336;H01L21/28;H01L23/552;H01L29/423;H01L29/786 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋勇;李雪梅;張雪 申請（專利權(quán)）人 華潤微電子（重慶）有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 賀妮妮
地址 401331 重慶市沙坪壩區(qū)西永鎮(zhèn)西永路367號四樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種屏蔽柵溝槽場效應(yīng)晶體管及其制備方法，該方法主要包括：提供一襯底，于襯底的上表面形成外延層，于外延層中形成深溝槽，于深溝槽的內(nèi)壁形成屏蔽氧化層、屏蔽多晶硅、第一隔離氧化層及第二隔離氧化層，并使第一隔離氧化層的致密度大于第二隔離氧化層的致密度；濕法刻蝕去除第二隔離氧化層和部分第一隔離氧化層及屏蔽氧化層，使屏蔽氧化層的上表面與深溝槽的側(cè)壁呈鈍角；于深溝槽的內(nèi)壁形成柵氧化層、柵極多晶硅；形成場效應(yīng)晶體管的其他結(jié)構(gòu)。該方法可有效提高柵氧化層的反向耐壓能力，同時不會對場效應(yīng)晶體管的其他工作參數(shù)產(chǎn)生影響；另外，本發(fā)明的制備方法，工藝制造上易于實現(xiàn)和量產(chǎn)。