一種溝槽型功率器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911357317.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113035714A 公開（公告）日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN113035714A 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類號(hào) H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L27/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳雪萌;楊林森;王艷穎 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉星
地址 401331 重慶市沙坪壩區(qū)西永鎮(zhèn)西永路367號(hào)四樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種溝槽型功率器件及其制作方法，該方法包括以下步驟：提供一自下而上依次包括第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s層及第一導(dǎo)電類型輕摻雜外延層的基板；形成元胞區(qū)溝槽及終端區(qū)溝槽于輕摻雜外延層中；形成柵介質(zhì)層于溝槽的側(cè)壁與底面及輕摻雜外延層的頂面；形成多晶硅層以填充進(jìn)元胞區(qū)溝槽及終端區(qū)溝槽，并對(duì)多晶硅層進(jìn)行第二導(dǎo)電類型摻雜；刻蝕多晶硅層直至多晶硅層與輕摻雜外延層頂面齊平，得到元胞區(qū)溝槽柵及終端區(qū)溝槽多晶硅；對(duì)元胞區(qū)溝槽柵及終端區(qū)溝槽多晶硅進(jìn)行第一導(dǎo)電類型摻雜；形成體區(qū)于輕摻雜外延層中；形成源區(qū)于體區(qū)中。本發(fā)明采用溝槽型終端，可以采用較高的能量進(jìn)行體區(qū)注入，使器件具有更加穩(wěn)定的閾值電壓和擊穿電壓。