一種半導體結構及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911251882.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113035688A 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN113035688A 申請公布日 2021-06-25
分類號 H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹興旺;杜麗;黃盛境 申請（專利權）人 華潤微電子（重慶）有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 劉星
地址 401331 重慶市沙坪壩區(qū)西永鎮(zhèn)西永路367號四樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導體結構及其制作方法，該制作方法包括以下步驟提供一晶圓，所述晶圓包括用于形成半導體器件的正面和相對于所述正面的背面，在所述晶圓背面生長有摻雜多晶硅層，所述晶圓具有第一翹曲度；去除所述摻雜多晶硅層，使所述晶圓具有第二翹曲度，所述第二翹曲度小于所述第一翹曲度。本發(fā)明通過在晶圓背面減少一層多晶硅膜層，可以改善晶圓拉伸方向的翹曲度變化。并且可以在去除晶圓背面的多晶硅膜層之后，進一步形成二氧化硅層于晶圓背面，在晶圓總厚度不增加，甚至有所減少的情況下，可以進一步改善晶圓拉伸方向的翹曲度變化，并避免晶圓厚度增加帶來的不良影響。晶圓翹曲度的改善使得后續(xù)制程可以順利進行，有利于提高生產良率。