太陽能電池的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710309326.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108831953B 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN108831953B 申請公布日 2021-04-27
分類號 H01L31/18;H01L31/068 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何川;金光耀;陳炯 申請（專利權(quán)）人 上海凱世通半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 上海弼興律師事務(wù)所 代理人 薛琦
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)牛頓路200號7號樓單元1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種太陽能電池的制作方法，包括：步驟S1：在該第一導(dǎo)電類型襯底的一表面上形成氧化層；步驟S2：在該氧化層上形成多晶硅或非晶硅；步驟S3：采用第二導(dǎo)電類型摻雜元素對該多晶硅或非晶硅進(jìn)行選擇性摻雜以形成重?fù)诫s區(qū)和輕摻雜區(qū)；步驟S4：熱處理步驟S3所得的結(jié)構(gòu)，使得非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅；步驟S5：采用堿性試劑選擇性蝕刻步驟S4所得的多晶硅；步驟S6：在重?fù)诫s區(qū)上形成電極。本發(fā)明通過選擇性摻雜多晶硅，使得金屬形成于較厚的多晶硅上，由此降低了金屬和半導(dǎo)體接觸的復(fù)合，同時較薄的多晶硅則用于透光，實現(xiàn)了鈍化效果和透光的平衡。