N型太陽能電池的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810769869.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110718607A 公開（公告）日 2020-01-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN110718607A 申請(qǐng)公布日 2020-01-21
分類號(hào) H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳炯;何川 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海凱世通半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海弼興律師事務(wù)所 代理人 上海凱世通半導(dǎo)體股份有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)牛頓路200號(hào)7號(hào)樓單元1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種N型太陽能電池的制作方法，包括：對(duì)N型硅襯底進(jìn)行雙面制絨；對(duì)N型硅襯底背面進(jìn)行拋光；在N型硅襯底背面形成第一氧化物層；在該第一氧化物層上形成N型多晶硅層；在該N型硅襯底正面形成第二氧化物層，該第二氧化物層的能帶帶隙大于3eV，功函數(shù)大于5eV；在該第二氧化物層上形成第三氧化物層，第三氧化物層電阻率小于5e10?4歐姆·厘米；在N型硅襯底正面形成柵狀的正面電極以及在背面形成背面電極。本發(fā)明在TOPCon電池的正面采用高帶隙高功函數(shù)的材料，形成空穴選擇性接觸，減小或避免TOPCon電池的正面金屬電極和半導(dǎo)體接觸處的少子復(fù)合。