硅片刻蝕裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110423573.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113161266A | 公開（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113161266A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-23 |
| 分類號(hào) | H01L21/67 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 吳佳俊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張?jiān)?/td> |
| 地址 | 213213 江蘇省常州市金壇區(qū)堯塘鎮(zhèn)金武路18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及硅片生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種硅片刻蝕裝置，包括用于對(duì)硅片單面噴射介質(zhì)的噴淋裝置、用于對(duì)硅片進(jìn)行支撐的支撐機(jī)構(gòu)和用于限制硅片位移范圍的第一限位機(jī)構(gòu)，所述支撐機(jī)構(gòu)位于噴淋機(jī)構(gòu)和第一限位機(jī)構(gòu)之間，當(dāng)硅片放置在支撐機(jī)構(gòu)上時(shí)，所述硅片與第一限制機(jī)構(gòu)之間具有間隙，當(dāng)所述噴淋裝置對(duì)硅片單面噴射介質(zhì)時(shí)，使用時(shí)，通過將硅片放置在支撐機(jī)構(gòu)上進(jìn)行支撐，而噴淋機(jī)構(gòu)對(duì)硅片的單面進(jìn)行噴淋介質(zhì)，在介質(zhì)的作用力下硅片懸浮并與限位機(jī)構(gòu)接觸，限位機(jī)構(gòu)限制了硅片在支撐機(jī)構(gòu)和限位機(jī)構(gòu)之間的位移范圍，由原有的浸泡改為噴淋，不會(huì)出現(xiàn)硅片由于介質(zhì)波動(dòng)而翻越至硅片另一面的現(xiàn)象，保證了硅片生產(chǎn)穩(wěn)定可。 |
