一種利用絕緣邊保護(hù)層來制備N型電池的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011123637.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112151641A 公開（公告）日 2020-12-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN112151641A 申請(qǐng)公布日 2020-12-29
分類號(hào) H01L31/18;H01L31/068 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉陽;吳家宏;張凱勝;孫鐵囤;姚偉忠;胡琴;尹偉平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 常州億晶光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 常州億晶光電科技有限公司
地址 213213 江蘇省常州市金壇區(qū)堯塘鎮(zhèn)金武路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種利用絕緣邊保護(hù)層來制備N型電池的方法。具體的步驟包括以下：(1)選擇N型的單晶硅片，經(jīng)過清洗制絨、硼擴(kuò)散、去BSG；(2)利用滾筒傳輸裝置，將介電層膜均勻的涂抹在硅片的邊緣；(3)利用擴(kuò)散進(jìn)行磷擴(kuò)散前或LPCVD沉積多晶硅前，利用高溫將介電層與硅片進(jìn)行微燒結(jié)；(4)脫膠，利用HF將絕緣的介電層及沉積在介電層上的磷一起進(jìn)行剝離；(5)RCA去PSG層或多晶硅層繞鍍后、正面進(jìn)行AlOx、SiNx鈍化，背面進(jìn)行SiNX鈍化(6)正面印刷銀漿后進(jìn)行燒結(jié)。該方法可有效解決N型硅片的邊緣漏電問題。