一種局部硼激光摻雜背鈍化太陽(yáng)能電池的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011123642.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112164735A | 公開（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112164735A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-01 |
| 分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張凱勝;劉陽(yáng);吳家宏;孫鐵囤;姚偉忠;劉明;陳佳樂(lè);方輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 地址 | 213213江蘇省常州市金壇區(qū)堯塘鎮(zhèn)金武路18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開一種局部硼激光摻雜背鈍化太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下的步驟：(1)選擇P型的單晶硅片，經(jīng)過(guò)清洗制絨、擴(kuò)散、SE、洗磷、ALD、退火、正面SiNx鈍化、背面SiNx鈍化；(2)在背面鈍化層利用激光開孔；(3)在背面激光開孔區(qū)域印刷含有硼源的鋁漿漿料；(4)利用激光二次對(duì)含有硼源的鋁漿漿料的區(qū)域進(jìn)行二次推結(jié)，在背面形成P++層；(5)正面印刷銀漿后進(jìn)行燒結(jié)，制程局部硼激光摻雜背鈍化太陽(yáng)能電池。該方法可降低背面的表面復(fù)合，降低電子傳輸?shù)臋M向電阻，從而提升了電池片的電壓電流及填充，增加了電池片的光電轉(zhuǎn)換效率，可有效改善背面印刷的良率問(wèn)題，不需二次印刷鋁漿可節(jié)省二次印刷鋁漿、烘干等成本。?? |
