一種MoS2/MoSe2異質(zhì)結(jié)薄膜及其制備方法與應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011574098.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112687760A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112687760A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-20 |
| 分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 彭陳陽(yáng);劉富德;鄭大偉;古元;熊漢琴 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 清遠(yuǎn)道動(dòng)新材料科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 顏希文 |
| 地址 | 511500廣東省清遠(yuǎn)市清遠(yuǎn)高新區(qū)創(chuàng)業(yè)一路6號(hào)A2棟8層801-1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種MoS2/MoSe2異質(zhì)結(jié)薄膜的制備方法，涉及半導(dǎo)體薄膜制備技術(shù)和新能源開(kāi)發(fā)的領(lǐng)域。所述制備方法，包括如下步驟：(1)反應(yīng)前驅(qū)液的制備：在溶劑中加入還原性試劑，攪拌至溶解；溶解后，依次加入硫源、鉬源、硒源，攪拌至溶解，混合均勻后，得到反應(yīng)前驅(qū)液；(2)基片襯底的前期表面處理：將基片襯底進(jìn)行切割，切割后進(jìn)行超聲清洗，再浸泡清洗，清洗完成后進(jìn)行干燥處理；(3)溶劑熱反應(yīng)：將步驟(2)中經(jīng)過(guò)前期表面處理的基片襯底，與步驟(1)中得到的反應(yīng)前驅(qū)液接觸，進(jìn)行溶劑熱反應(yīng)，得到沉積有MoS2/MoSe2異質(zhì)結(jié)薄膜的基片；(4)將步驟(3)中得到的沉積有MoS2/MoSe2異質(zhì)結(jié)薄膜的基片，進(jìn)行清洗、真空干燥，得到所述MoS2/MoSe2異質(zhì)結(jié)薄膜。?? |
