一種用于GaN HEMT芯片生產(chǎn)中通孔的刻蝕方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710075356.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106910711A 公開（公告）日 2017-06-30
申請公布號 CN106910711A 申請公布日 2017-06-30
分類號 H01L21/768;H01L21/335;H01L21/3065;H01L21/3213 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫丞;楊榮;李寶國;張達泉;張書敬;韓威;馬京路 申請（專利權(quán)）人 蘇州本然微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京中濟緯天專利代理有限公司 代理人 蘇州本然微電子有限公司;河北遠東通信系統(tǒng)工程有限公司
地址 215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園4-B403單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及GaN?HEMT芯片生產(chǎn)制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于GaN?HEMT芯片生產(chǎn)中通孔的刻蝕方法，包括如下步驟：(1)在SiC襯底背面，濺射或者蒸發(fā)第一層易腐蝕金屬；(2)在SiC襯底背面進行通孔圖形光刻，采用腐蝕液浸泡晶圓，去除通孔中的第一層易腐蝕金屬，隨后去除晶圓表面的光刻膠；(3)在第一層易腐蝕金屬的正面，電鍍第二層易腐蝕金屬，將整個金屬層加厚；(4)使用等離子刻蝕通孔，直到刻蝕完SiC襯底，露出正面源電極；(5)使用腐蝕液將所述第一層易腐蝕金屬和第二層易腐蝕金屬腐蝕掉。本發(fā)明采用金屬作為刻蝕的阻擋層，可以有效地阻擋等離子體的轟擊刻蝕，為GaN?HEMT器件結(jié)構(gòu)設(shè)計提供更多可能性。