一種新型柵結(jié)構(gòu)的GaN基HEMT器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201620846582.X 申請日 -
公開（公告）號 CN205920974U 公開（公告）日 2017-02-01
申請公布號 CN205920974U 申請公布日 2017-02-01
分類號 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李寶國;馬京路;韓威;張書敬;張達泉;孫丞;楊榮 申請（專利權(quán)）人 蘇州本然微電子有限公司
代理機構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 蘇州本然微電子有限公司;河北遠東通信系統(tǒng)工程有限公司
地址 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園4-B403單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種新型柵結(jié)構(gòu)的GaN基HEMT器件，所述絕緣層的上端設(shè)有倒直角梯形的插孔，且插孔位于源極和漏極之間，所述插孔內(nèi)插接有對應(yīng)的直角梯形的底層?xùn)艠O，所述底層?xùn)艠O的上端設(shè)有頂層?xùn)艠O。該新型柵結(jié)構(gòu)的GaN基HEMT器件，底層?xùn)艠O為直角梯形結(jié)構(gòu)，使底層?xùn)艠O與勢壘層的距離呈現(xiàn)階梯狀增加，不是形成突變方式，這種結(jié)構(gòu)可以提高器件的擊穿電壓，并且不用增加?xùn)艠O與漏極之間的距離，同時因為底層?xùn)艠O靠近漏極端的右下角部分不會形成直角的方式，同樣會減少器件的熱電子效應(yīng)，從而提高器件的可靠性和使用壽命，而且，通過減少頂層?xùn)艠O和勢壘層之間的距離可以更好的抑制器件電流崩潰效應(yīng)。