一種磁控濺射裝置及磁控濺射系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201621197024.1 申請日 -
公開（公告）號 CN206273836U 公開（公告）日 2017-06-23
申請公布號 CN206273836U 申請公布日 2017-06-23
分類號 C23C14/35;C23C14/54 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 徐興;李澤宇;周媛;魏志英 申請（專利權）人 廣漢川冶新材料有限責任公司
代理機構 北京超凡志成知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 李佳
地址 618000 四川省德陽市廣漢市新豐鎮(zhèn)古城村九社
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種磁控濺射裝置及磁控濺射系統(tǒng)，屬于半導體制備領域。該磁控濺射裝置包括殼體，殼體內設置有磁靶、靶材組件、用于安裝基材的爐盤和用于調整靶材組件與基材之間的磁場強度的緩沖組件。磁靶固定于殼體的內壁并用于提供磁場，爐盤設置于殼體的內壁并用于安裝基材，靶材組件設置于磁靶并與爐盤相對設置。緩沖組件設置于靶材組件和磁靶之間，緩沖組件包括驅動裝置和至少兩個依次疊放的調整板，每個調整板通過驅動裝置移入或移出工作區(qū)域。這種磁控濺射裝置和磁控濺射系統(tǒng)，能夠通過緩沖組件有效的解決了現(xiàn)有的通過手動方式調節(jié)磁場強度的精度不高的問題，提高生產效率及半導體薄膜的質量。