一種磁控濺射設(shè)備及磁控濺射系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610973400.X 申請日 -
公開（公告）號 CN106498357A 公開（公告）日 2017-03-15
申請公布號 CN106498357A 申請公布日 2017-03-15
分類號 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 徐興;李澤宇;周媛;魏志英 申請（專利權(quán)）人 廣漢川冶新材料有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李佳
地址 618000 四川省德陽市廣漢市新豐鎮(zhèn)古城村九社
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種磁控濺射設(shè)備及磁控濺射系統(tǒng)，屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。該磁控濺射設(shè)備，包括殼體、磁靶、鋯靶材組件、遮擋部以及用于安裝基材的爐盤。殼體具有第一內(nèi)壁、第二內(nèi)壁和第三內(nèi)壁，第一內(nèi)壁和第二內(nèi)壁相對間隔設(shè)置。第一內(nèi)壁、第二內(nèi)壁和第三內(nèi)壁共同圍合成反應(yīng)腔體。爐盤安裝于第一內(nèi)壁，磁靶安裝于第二內(nèi)壁，鋯靶材組件設(shè)置于磁靶遠(yuǎn)離第二內(nèi)壁的一側(cè)。遮擋部設(shè)置于第三內(nèi)壁，遮擋部具有第一凹槽，第一凹槽的開口朝向遠(yuǎn)離第三內(nèi)壁的一側(cè)，且第一凹槽的開口覆蓋有篩網(wǎng)。這種磁控濺射設(shè)備和磁控濺射系統(tǒng)，均能夠有效避免反濺射物脫落對濺射環(huán)境的影響，有效提高反應(yīng)腔體內(nèi)鋯金屬薄膜的質(zhì)量，從而提高半導(dǎo)體器件的性能。