一種超高靈敏磁電阻薄膜材料及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910243307.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101710525B 公開(kāi)（公告）日 2011-04-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN101710525B 申請(qǐng)公布日 2011-04-20
分類號(hào) H01F10/08(2006.01)I;H01F10/14(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于廣華;丁雷;滕蛟;李明華;馮春 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京麥格納材科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京東方匯眾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 北京科技大學(xué);北京麥格納材科技有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)學(xué)院路30號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種超高靈敏磁電阻薄膜材料及其制備方法，涉及磁性薄膜材料。本發(fā)明設(shè)計(jì)的薄膜材料結(jié)構(gòu)為：緩沖層/MgO/NiFe/MgO/保護(hù)層；然后在磁場(chǎng)中高溫退火。該結(jié)構(gòu)材料具有很高的磁場(chǎng)靈敏度，而且將其加工成磁傳感元件同樣也具有很高的磁場(chǎng)靈敏度。該方法主要優(yōu)點(diǎn)是材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，磁場(chǎng)靈敏度提高明顯，基本上能夠與某些隧道磁電阻(TMR)薄膜材料和相應(yīng)元件磁場(chǎng)靈敏度相當(dāng)；同時(shí)克服了以往材料體系工藝中當(dāng)NiFe層較薄時(shí)在一定溫度下處理材料或器件帶來(lái)的薄膜界面處固相反應(yīng)所導(dǎo)致的“磁死層”，因此，該材料可以用于制作高靈敏磁電阻傳感元器件。