一種超高靈敏磁電阻薄膜材料及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910243307.3 申請日 -
公開（公告）號 CN101710525A 公開（公告）日 2010-05-19
申請公布號 CN101710525A 申請公布日 2010-05-19
分類號 H01F10/08(2006.01)I;H01F10/14(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于廣華;丁雷;滕蛟;李明華;馮春 申請（專利權）人 北京麥格納材科技有限公司
代理機構 北京東方匯眾知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 北京科技大學;北京麥格納材科技有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)學院路30號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種超高靈敏磁電阻薄膜材料及其制備方法，涉及磁性薄膜材料。本發(fā)明設計的薄膜材料結構為：緩沖層/MgO/NiFe/MgO/保護層；然后在磁場中高溫退火。該結構材料具有很高的磁場靈敏度，而且將其加工成磁傳感元件同樣也具有很高的磁場靈敏度。該方法主要優(yōu)點是材料結構設計簡單，磁場靈敏度提高明顯，基本上能夠與某些隧道磁電阻(TMR)薄膜材料和相應元件磁場靈敏度相當；同時克服了以往材料體系工藝中當NiFe層較薄時在一定溫度下處理材料或器件帶來的薄膜界面處固相反應所導致的“磁死層”，因此，該材料可以用于制作高靈敏磁電阻傳感元器件。