薄膜體聲波諧振器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310726314.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104753493B 公開（公告）日 2017-08-25
申請公布號 CN104753493B 申請公布日 2017-08-25
分類號 H03H9/17(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 胡念楚;楊清華;周沖 申請（專利權(quán)）人 貴州漢天下科技（集團）有限公司
代理機構(gòu) 北京漢昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 貴州中科漢天下電子有限公司;蘇州漢天下電子有限公司
地址 556000 貴州省黔東南苗族侗族自治州凱里市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)甘塘路2號中盛茗園B棟3單元4層402號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種薄膜體聲波諧振器，包括：基底，該基底具有腔體結(jié)構(gòu)；下電極層，該下電極層形成在所述基底之上并遮蓋至少部分所述腔體結(jié)構(gòu)；所述腔體結(jié)構(gòu)與所述下電極層共同組成空腔；壓電層，該壓電層形成在所述下電極層之上；上電極層，該上電極層形成在所述壓電層之上；導(dǎo)熱介質(zhì)層，該導(dǎo)熱介質(zhì)層覆蓋所述基底的上表面，并與所述下電極層、所述壓電層、所述上電極層三者中的至少一個形成接觸。與傳統(tǒng)的薄膜體聲波諧振器相比，本發(fā)明所提供的薄膜體聲波諧振器在不增加器件面積的前提下具有更優(yōu)的功率承受能力。