一種FBAR器件的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510325187.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105097714A 公開（公告）日 2015-11-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN105097714A 申請(qǐng)公布日 2015-11-25
分類號(hào) H01L23/02(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊清華;歐毅;劉杰;賴亞明;吳光勝;顧程先;陳慶;朱麗娜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 貴州漢天下科技（集團(tuán)）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京漢昊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 貴州中科漢天下電子有限公司
地址 556000 貴州省黔東南苗族侗族自治州凱里市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)甘塘路2號(hào)中盛茗園B棟3單元4層402號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種FBAR器件的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括襯底、至少一個(gè)第一凹槽、焊盤、第二凹槽、第一電極層、第二電極層和至少一個(gè)FBAR器件片：所述襯底的上表面形成至少一個(gè)第一凹槽；所述第一凹槽兩側(cè)各形成一個(gè)焊盤；所述第二凹槽形成于所述焊盤的表面上；所述FBAR器件與所述焊盤鍵合，且FBAR器件的電極置于所述第一凹槽內(nèi)；所述第一電極層形成于所述襯底的下表面上，同時(shí)覆蓋所述第二凹槽的頂部和側(cè)壁；所述第二電極層形成于所述第一電極層的下表面上。相應(yīng)地，本發(fā)明還公開了一種FBAR器件封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。實(shí)施本發(fā)明可降低封裝工藝的難度，優(yōu)化了生產(chǎn)工藝和生產(chǎn)周期，使封裝成本大幅下降。