非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310313476.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103606589A 公開(kāi)（公告）日 2014-02-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN103606589A 申請(qǐng)公布日 2014-02-26
分類(lèi)號(hào) H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張津燕;郁操;胡安紅;曲銘浩;徐希翔 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 昆明鉑陽(yáng)遠(yuǎn)通光伏設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 650217 云南省昆明市經(jīng)開(kāi)區(qū)出口加工區(qū)A4-1#地塊B幢2-4
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池及其制造方法，包括步驟：提供基板；在所述基板表面沉積透明導(dǎo)電前電極層；在所述透明導(dǎo)電前電極層表面沉積包括非晶硅頂層電池的疊層電池層；在所述疊層電池層表面沉積導(dǎo)電背電極層；其中，所述非晶硅頂層電池的本征層從P層到N層分為四步沉積，靠近P層的第一層沉積高氫稀釋比的非晶硅層；第二層沉積第一非晶硅層；第三層沉積主體層，第四層沉積第二非晶硅層。本發(fā)明的方法通過(guò)對(duì)通過(guò)簡(jiǎn)單的沉積工藝控制和組合優(yōu)化，很好的解決產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中成本和質(zhì)量的矛盾，即高速沉積和高質(zhì)量非晶硅材料之間的矛盾。