一種微型高密度陣列自由曲面電極及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910646974.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112237682A 公開（公告）日 2021-01-19
申請公布號 CN112237682A 申請公布日 2021-01-19
分類號 A61N1/05;B81B1/00;B81B7/02;B81C1/00 分類 醫(yī)學或獸醫(yī)學；衛(wèi)生學;
發(fā)明人 吳昭;楊旭燕;楊佳威 申請（專利權）人 杭州暖芯迦電子科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)文一西路998號海創(chuàng)園4號樓608
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種微型高密度陣列自由曲面電極，包括基底和若干個電極柱；所述的基底包括焊接面和刺激面；所述的電極柱包括柱頭和柱尾；所述的電極柱貫穿基底，柱尾與焊接面呈一個平面，柱頭凸出于刺激面。常見的神經(jīng)刺激電極其電極柱尾部往往設在基底內(nèi)部，然后再從基底內(nèi)部引出導線與刺激芯片連接。本發(fā)明采用的貫穿式電極結(jié)構相較現(xiàn)有結(jié)構，在制作上更加方便，適合大批量制作，而且電極柱的柱尾裸露在基底的焊接面，使得刺激芯片的管腳可以和電極柱直接連接，省去了導線，簡化了制作工藝。